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TEMT2100

更新时间: 2024-01-27 21:50:19
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威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
4页 207K
描述
Photo Transistor, 830nm, 0.05A I(C),

TEMT2100 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.75
最大暗电源:200 nAJESD-609代码:e0
安装特点:SURFACE MOUNT最大通态电流:0.05 A
最高工作温度:100 °C最低工作温度:-20 °C
峰值波长:830 nm最大功率耗散:0.07 W
子类别:Photo Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

TEMT2100 数据手册

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