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TE28F320J3D75E

更新时间: 2024-11-14 15:54:11
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
67页 1484K
描述
2MX16 FLASH 2.7V PROM, 75ns, PDSO56, 14 X 20 MM, TSOP-56

TE28F320J3D75E 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TSOP
包装说明:14 X 20 MM, TSOP-56针数:56
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.73
最长访问时间:75 ns备用内存宽度:8
JESD-30 代码:R-PDSO-G56长度:18.4 mm
内存密度:33554432 bit内存集成电路类型:FLASH
湿度敏感等级:NOT SPECIFIED功能数量:1
端子数量:56字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:2MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED编程电压:2.7 V
认证状态:COMMERCIAL座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:NOT SPECIFIED
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:14 mmBase Number Matches:1

TE28F320J3D75E 数据手册

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