Datasheet > TD400N26KOF

TD400N26KOF

更新时间： 2024-11-07 15:19:31

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
13页	439K
描述
Thyristor/Diode 60 mm Power?Block 2600 V,?400 A module?for phase control in?pressure contact technology?using an isolated copper base plate

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TD400N26KOF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	MODULE	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XXFM-X5
针数：	5	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.15
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大直流栅极触发电流：	250 mA	最大直流栅极触发电压：	2.2 V
快速连接描述：	G-GR	螺丝端子的描述：	A-K-AK
最大维持电流：	300 mA	JESD-30 代码：	R-XXFM-X5
最大漏电流：	100 mA	通态非重复峰值电流：	13000 A
元件数量：	1	端子数量：	5
最大通态电流：	400000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	800 A	断态重复峰值电压：	2600 V
重复峰值反向电压：	2600 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

TD400N26KOF 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

TT400N

Phase Control Thyristor Module

TT400N

TD400N

DT400N

Kenndaten

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Elektrische Eigenschaften

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

2000

2400

2200 V

2600 V

V_DRM,V_RRM

2000

2400

2200 V

2600 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

2100

2500

2300 V

2700 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

800 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

400 A

510 A

T_C= 85°C

T_C= 71°C

13000 A

11000 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

845000 A²s

605000 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 747-6

150 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

6.Kennbuchstabe / 6^thletter F

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

max.

1,88 V

1 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 1500 A

T_vj= T_{vj max}

v_T

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Zündstrom

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

V_(TO)

r_T

0,5 mΩ

250 mA

2,2 V

T_vj= T_{vj max}

max.

T_vj= 25°C, v_D= 6 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

10 mA

5 mA

0,25 V

max.

Haltestrom

holding current

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_A= 5 Ω

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_GK≥ 10 Ω

max.

300 mA

I_L

max. 1500 mA

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

100 mA

4 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 747-6

T_vj= 25 °C,i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

C.Drilling

date of publication: 18.12.02

prepared by:

revision:

approved by: J. Novotny

BIP AC / 31:05.95, A. Rüther

1/12

Seite/page

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

与TD400N26KOF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TD400N26KOFHOSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 800A I(T)RMS, 2600V V(DRM), 2600V V(RRM), 1 Element, MODULE-
TD400N26KOFHPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 800A I(T)RMS, 2600V V(DRM), 2600V V(RRM), 1 Element, MODULE-
TD-41	CLARE	获取价格	MICROWAVE NOISE TUBES & NOISE SOURCES
TD415	HUTSON	获取价格	TRIAC With INT Trigger, 400V V(DRM), 15A I(T)RMS, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
TD4156010MC71	VISHAY	获取价格	CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 10V, 15uF, SURFACE MOUNT, 2415, CHIP
TD-42	CLARE	获取价格	MICROWAVE NOISE TUBES & NOISE SOURCES
TD4226006M00	VISHAY	获取价格	CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 6V, 22uF, SURFACE MOUNT, 2415, CHIP
TD425N10KOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 425000mA I(T), 1000V V(RRM)
TD425N10KOF-A	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 425000mA I(T), 1000V V(RRM)
TD425N12KOF-A	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 800A I(T)RMS, 425000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 E

与TD400N26KOF相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TD400N26KOF

TD400N26KOF 技术参数

TD400N26KOF 数据手册

与TD400N26KOF相关器件

与TD400N26KOF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TD400N26KOF

TD400N26KOF 技术参数

TD400N26KOF 数据手册

与TD400N26KOF相关器件

与TD400N26KOF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？