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TD425N18KOF

更新时间： 2024-11-07 14:58:39

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英飞凌 - INFINEON		/
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13页	412K
描述
Thyristor/Diode 60 mm Power Block 1800 V, 425 A module for phase control in pressure contact technology using an isolated copper base plate.

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TD425N18KOF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	MODULE	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XXFM-X5
针数：	5	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.17
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大直流栅极触发电流：	250 mA	快速连接描述：	G-GR
螺丝端子的描述：	A-K-AK	JESD-30 代码：	R-XXFM-X5
通态非重复峰值电流：	12500 A	元件数量：	1
端子数量：	5	最大通态电流：	425000 A
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	800 A	断态重复峰值电压：	1800 V
重复峰值反向电压：	1800 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

TD425N18KOF 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

TT425N

Phase Control Thyristor Module

TT425N...

TD425N

DT425N

TD425N...-A

Kenndaten

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Elektrische Eigenschaften

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

1000

1400

1200 V

1600 V

1800 V ¹⁾

V_DRM,V_RRM

1000

1400

1200 V

1600 V

1800 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

non-repetitive peak forward off-state voltage

1100

1500

1300 V

1700 V

1900 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

800 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

425 A

510 A

T_C= 85°C

T_C= 74°C

14500 A

12500 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

1051000 A²s

781000 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 747-6

120 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

6.Kennbuchstabe / 6^thletter F

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

max.

1,5 V

0,9 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 1500 A

T_vj= T_{vj max}

v_T

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Zündstrom

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

V_(TO)

r_T

0,3 mΩ

250 mA

1,5 V

T_vj= T_{vj max}

max.

T_vj= 25°C, v_D= 6 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

10 mA

5 mA

0,2 V

max.

Haltestrom

holding current

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_A= 5 Ω

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_GK≥ 10 Ω

max.

300 mA

I_L

max. 1500 mA

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

80 mA

4 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 747-6

T_vj= 25 °C,i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

1) 1800V auf Anfrage/ 1800V on request

C.Drilling

date of publication: 19.12.02

prepared by:

revision:

approved by: J. Novotny

BIP AC / 28 Oct 1994, A.Rüther

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TD425N18KOF-A	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 800A I(T)RMS, 425000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 E
TD425N18KOFHPSA2	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 800A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element, MODULE-
TD-43	CLARE	获取价格	MICROWAVE NOISE TUBES & NOISE SOURCES
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