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TD122N18KOC

更新时间： 2024-11-01 20:36:19

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Silicon Controlled Rectifier

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TD122N18KOC 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	,	针数：	5
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

TD122N18KOC 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

TT122N

Phase Control Thyristor Module

TT122N

TT122N...K..-A

TD122N

Kenndaten

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Elektrische Eigenschaften

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

1800

2200

2000 V

2400 V

V_DRM,V_RRM

(1)

1800

2200

2000 V

2400 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

1900

2300

2100 V

2500 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

220 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

122 A

140 A

T_C= 85 °C

T_C= 76°C

3300 A

2950 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

54450 A²s

43500 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 747-6 f = 50 Hz,

_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

100 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

6.Kennbuchstabe / 6^thletter C

6.Kennbuchstabe / 6^thletter F

500 V/µs

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

max.

1,95 V

1,00 V

2,15 mΩ

200 mA

2 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 400 A

T_vj= T_{vj max}

v_T

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Zündstrom

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

V_(TO)

r_T

T_vj= T_{vj max}

max.

T_vj= 25°C, v_D= 6 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

10 mA

5 mA

0,25 V

max.

Haltestrom

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_A= 5 Ω

max.

300 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_GK≥ 10 Ω

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

I_L

max. 1200 mA

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

30 mA

4 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 747-6 T_vj= 25 °C,

_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

(1) 2400V auf Anfrage/ 2400V on request

C.Drilling

date of publication: 01.07.02

prepared by:

Revision:

approved by: J. Novotny

A70 / 94

BIP AC / MA2-BE / 22 Nov , A.Rüther

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TD122N18KOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
TD122N20KOC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
TD122N20KOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
TD122N22KOC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
TD122N22KOFHOSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
TD122N24KOC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
TD122N24KOFHPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 220A I(T)RMS, 2400V V(DRM), 2400V V(RRM), 1 Element, MODULE-
TD-122-T-A	SAMTEC	获取价格	CONN HEADER .100 44PS DL TIN PCB
TD-122-T-D-1-1	SAMTEC	获取价格	Board Connector, 44 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, Solder Terminal, ROHS COMPLIANT
TD-122-T-J	SAMTEC	获取价格	Board Connector, 22 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, 0.1 inch Pitch, Solder Termina

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