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TD122N22KOFHOSA1

更新时间： 2024-09-29 05:59:59

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Silicon Controlled Rectifier

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TD122N22KOFHOSA1 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

TT122N

Phase Control Thyristor Module

TT122N

TT122N...K..-A

TD122N

Kenndaten

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Elektrische Eigenschaften

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

1800

2200

2000 V

2400 V

V_DRM,V_RRM

(1)

1800

2200

2000 V

2400 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

1900

2300

2100 V

2500 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

220 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

122 A

140 A

T_C= 85 °C

T_C= 76°C

3300 A

2950 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

54450 A²s

43500 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 747-6 f = 50 Hz,

_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

100 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

6.Kennbuchstabe / 6^thletter C

6.Kennbuchstabe / 6^thletter F

500 V/µs

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

max.

1,95 V

1,00 V

2,15 mΩ

200 mA

2 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 400 A

T_vj= T_{vj max}

v_T

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Zündstrom

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

V_(TO)

r_T

T_vj= T_{vj max}

max.

T_vj= 25°C, v_D= 6 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

10 mA

5 mA

0,25 V

max.

Haltestrom

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_A= 5 Ω

max.

300 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_GK≥ 10 Ω

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

I_L

max. 1200 mA

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

30 mA

4 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 747-6 T_vj= 25 °C,

_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

(1) 2400V auf Anfrage/ 2400V on request

C.Drilling

date of publication: 01.07.02

prepared by:

Revision:

approved by: J. Novotny

A70 / 94

BIP AC / MA2-BE / 22 Nov , A.Rüther

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