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TCQ10A06

更新时间： 2024-10-30 21:21:39

品牌	Logo	应用领域
NIEC		二极管
页数	文件大小	规格书
1页	554K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 60V V(RRM), Silicon,

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TCQ10A06 数据手册

10A Avg.

60 Volts

SBD

TCQ10A06

■最大定格ꢀMaximum Ratings

■

OUTLINE DRAWING(mm)

Item

Symbol

V_RRM

V_RSM

I_O

Conditions

Unit

く

り返しピーク逆電圧

Repetitive Peak Reverse Voltage

非くり返しピーク逆電圧

Repetitive Peak Reverse Voltage

平

均

整

流

電

流

50Hz、正弦全波、抵抗負荷

50Hz Full Sine Wave, Resistive Load

Tc＝108℃

Average Rectified Forward Current

実

効

順

電

I_F(RMS)

I_FSM

11.1

R.M.S. Forward Current

サ

ー

ジ

順

電

50Hz正弦全波，１サイクル，非くり返しꢀ

50Hz Full Sine Wave,1cycle, Non-repetitive

110

Surge Forward Current

動

作

接

合

温

度範囲

T_jw

－40～＋150

℃

Operating Junction Temperature Range

保

存

温

度範囲

T_stg

－40～＋150

℃

Storage Temperature Range

■APPROX. NET WEIGHT:1.40 g

■電気的・熱的特性ꢀElectrical/Thermal Characteristics

Item

Symbol

I_RM

Conditions

Min.

－

Typ. Max. Unit

ピ

ー

ク

逆

電

流

圧

抗

一素子あたりꢀ

Per Diode

－

0.58

T_j＝25℃, V_RM＝V_RRM

T_j＝25℃, I_FM＝5A,

Peak Reverse Current

ピ

ー

ク

順

一素子あたりꢀ

Per Diode

V_FM

－

Peak Forward Voltage

熱

抵

接合部･ケース間

Junction to Case

R_th(j-c)

－

℃/W

Thermal Resistance

■定格・特性曲線

FIG.1

FIG.4

FIG.7

FIG.2

FIG.3

FIG.5

FIG.6

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