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TCQ20A04-11A

更新时间： 2024-10-31 14:54:15

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京瓷/艾维克斯 - KYOCERA AVX		/
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7页	1750K
描述
Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers between s

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TCQ20A04-11A 数据手册

Schottky Barrier Diode

TCQ20A04-11A

TO-262

■ 特徴 / Features

■ アプリケーション / Applications

超低VF

・

二次側整流

・

Ultra low forward voltage drop

Secondary side rectification

高周波動作

・

DC/DCコンバータ

・

High frequency operation

DC/DC converters

RoHS指令対応

・

逆流防止

・

RoHS compliant

Re-Circulating Diode

エポキシ樹脂 (UL94V-0 認定品)

・

太陽電池用バイパスダイード

・

Epoxy Resin (UL94V-0 recognized)

Bypass diode for Solar Cells

OR-ing diode

・

■ 最大定格 / Maximum ratings

Parameter

Symbol

V_RRM

Conditions

Limits

Unit

くり返しピーク逆電圧

Repetitive Peak Reverse Voltage

平均整流電流

Average Rectified Output Current

I_O

Tc=119℃

サージ順電流

Surge Forward Current

50Hz 正弦半波、1サイクル、非くり返し

Half Sine Wave, 1cycle, Non-repetitive

I_FSM

T_jw

T_stg

180

動作接合温度範囲

Operating Junction Temperature Range

-40 ～ +150

℃

保存温度範囲

Storage Temperature Range

■ 電気的特性 / Electrical characteristics

Parameter Symbol

Conditions

Min. Typ. Max. Unit

ピーク逆電流

Peak Reverse Current

I_RM

V_FM

R_th

VRM=VRRM Tj=25℃ per diode

10.0 mA

ピーク順電圧

Peak Forward Voltage

IFM=10A Tj=25℃ per diode

0.55

熱抵抗

Thermal Resistance

接合部ーケース間

Junction to Case

℃/W

https://www.kyocera.co.jp/prdct/electro/product/function/index.html

Revision: September 2019

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