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TCBAV103R13

更新时间： 2024-09-25 15:54:03
品牌 Logo 应用领域
TAK_CHEONG 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 197K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, GLASS, LL-34, MINIMELF-2

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TCBAV103R13 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：MELF
包装说明：GLASS, LL-34, MINIMELF-2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.75
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：O-LELF-R2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：200 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.5 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：250 V最大反向恢复时间：0.05 µs
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

TCBAV103R13 数据手册

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®
TAK CHEONG  
SEMICONDUCTOR  
500 mW LL-34 Hermetically  
Sealed Glass – High Voltage  
Switching Diodes  
SURFACE MOUNT  
LL34  
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VRRM  
TSTG  
TJ  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
Storage Temperature Range  
250  
-65 to +200  
200  
V
°C  
°C  
mA  
Operating Junction Temperature  
Average Rectified Forward Current  
DEVICE MARKING DIAGRAM  
IF (AV)  
IFSM  
200  
Non-repetitive Peak Forward Current  
Pulse Width = 1.0 Second  
1.0  
4.0  
A
A
Pulse Width = 1.0 µsecond  
These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.  
Thermal Characteristics  
Cathode Band Color : Black  
Symbol  
Parameter  
Power Dissipation  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Value  
Units  
PD  
500  
350  
mW  
RθJA  
°C/W  
Specification Features:  
ƒ
ƒ
ƒ
ƒ
ƒ
ƒ
LL-34 (Mini-MELF) Package  
Surface Device Type Mounting  
Hermetically Sealed Glass  
Cathode  
Anode  
Compression Bonded Construction  
All external surfaces are corrosion resistant and terminals are readily solderable  
1st band indicates negative polarity  
ELECTRICAL SYMBOL  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Limits  
Unit  
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
IR=100µA  
Min  
Max  
BV  
Breakdown Voltage  
TCBAV100  
TCBAV101  
TCBAV102  
TCBAV103  
TCBAV100  
TCBAV101  
TCBAV102  
TCBAV103  
60  
---  
Volts  
Volts  
Volts  
Volts  
nA  
120  
200  
250  
---  
---  
---  
---  
IR  
Reverse Leakage Current  
VR=50V  
100  
100  
100  
100  
1.0  
VR=100V  
VR=150V  
VR=200V  
IF=100mA  
IF=IR=30mA  
RL=100Ω  
IRR=3mA  
---  
nA  
---  
nA  
---  
nA  
VF  
Forward Voltage  
---  
Volts  
TRR  
Reverse Recovery Time  
---  
---  
50  
nS  
pF  
C
Capacitance  
VR=0V, f=1MHZ  
5.0  
July 2005 / B  
Page 1  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TCBAV19 TAK_CHEONG

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 		500 mW DO-35 Hermetically Sealed Glass - High Voltage Switching Diodes
TCBAV19 TC

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 		DO-35
TCBAV19.TB TAK_CHEONG

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 		暂无描述
TCBAV19.TR TAK_CHEONG

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 		暂无描述
TCBAV19W TAK_CHEONG

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 		暂无描述
TCBAV19WS TAK_CHEONG

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SE
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