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TC7SH86FE

更新时间: 2024-11-25 04:28:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 栅极触发器逻辑集成电路石英晶振光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 150K
描述
Exclusive OR Gate

TC7SH86FE 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SON包装说明:0.50 MM PITCH, PLASTIC, SON-5
针数:5Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8542.39.00.01风险等级:5.73
Is Samacsys:N系列:LV/LV-A/LVX/H
JESD-30 代码:R-PDSO-F5JESD-609代码:e0
长度:1.6 mm负载电容(CL):50 pF
逻辑集成电路类型:XOR GATE最大I(ol):0.004 A
功能数量:1输入次数:2
端子数量:5最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VSOF封装等效代码:FL6,.047,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
电源:2/5.5 VProp。Delay @ Nom-Sup:16.5 ns
传播延迟(tpd):16.5 ns认证状态:Not Qualified
施密特触发器:NO座面最大高度:0.6 mm
子类别:Gates最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):2 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:FLAT端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL宽度:1.2 mm
Base Number Matches:1

TC7SH86FE 数据手册

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TC7SH86FE  
TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic  
TC7SH86FE  
Exclusive OR Gate  
Features  
Super high speed operation :t  
= 4.8 ns (typ.)  
= 5 V  
PD  
@V  
CC  
Low power dissipation : I  
= 2 µA (Max.)  
CC  
@ Ta = 25°C  
= V  
High noise immunity : V  
NIH  
NIH  
= 28% V  
(Min.)  
CC  
5.5V tolerant input.  
voltage range : V  
(opr) = 2~5.5 V  
CC  
Wide operation  
Weight: 0.003 g (typ.)  
Marking  
Pin Assignment (top view)  
Type name  
IN B  
IN A  
GND  
V
CC  
1
2
3
5
H 8  
OUT Y  
4
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Supply voltage range  
DC input voltage  
V
0.5~7  
0.5~7  
V
V
CC  
V
IN  
DC output voltage  
Input diode current  
Output diode current  
DC output current  
V
0.5~V  
+ 0.5  
V
OUT  
CC  
I
20  
mA  
mA  
mA  
mA  
mW  
°C  
IK  
I
±20  
±25  
OK  
I
OUT  
DC V /ground current  
CC  
I
±50  
CC  
Power dissipation  
P
150  
D
Storage temperature  
T
65~150  
stg  
1
2004-01-08  

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