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TC7SH86FTE85L

更新时间： 2024-11-25 15:53:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 栅输入元件光电二极管逻辑集成电路石英晶振触发器
页数 文件大小 规格书
7页 168K
描述
IC HC/UH SERIES, 2-INPUT XOR GATE, PDSO5, SSOP-5, Gate

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TC7SH86FTE85L 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SSOP
包装说明：LSSOP, TSOP5/6,.11,37针数：5
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.34系列：HC/UH
JESD-30 代码：R-PDSO-G5JESD-609代码：e0
长度：2.9 mm负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：XOR GATE最大I（ol）：0.004 A
功能数量：1输入次数：2
端子数量：5最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LSSOP封装等效代码：TSOP5/6,.11,37
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法：TAPE AND REEL电源：2/5.5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：16.5 ns传播延迟（tpd）：16.5 ns
认证状态：Not Qualified施密特触发器：NO
座面最大高度：1.4 mm子类别：Gates
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：0.95 mm
端子位置：DUAL宽度：1.6 mm
Base Number Matches：1

TC7SH86FTE85L 数据手册

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TC7SH86F/FU  
TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic  
TC7SH86F, TC7SH86FU  
2-Input EXCLUSIVE OR Gate  
Features  
TC7SH86F  
•
•
•
•
•
•
High speed operation  
: t = 4.8 ns (typ.) at V  
= 5V, 15pF  
pd  
CC  
Low power dissipation : I  
= 2μA (max) at Ta = 25°C  
CC  
High noise immunity  
5.5-V tolerant inputs.  
: V  
= V  
= 28% V  
(min)  
NIH  
NIL  
CC  
Balanced Propagation Delay : t  
t
pLH ≈ pHL  
Wide operating voltage range: V  
= 2 to 5.5 V  
CC  
TC7SH86FU  
Marking  
Product name  
H 8  
Weight  
SSOP5-P-0.95 : 0.016 g (typ.)  
SSOP5-P-0.65A : 0.006 g (typ.)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Pin Assignment (top view)  
Characteristics  
Supply voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
− 0.5 to 7  
− 0.5 to 7  
V
V
CC  
DC input voltage  
V
IN  
IN B  
IN A  
GND  
1
2
3
5
V
CC  
DC output voltage  
Input diode current  
Output diode current  
DC output current  
V
− 0.5 to V  
+ 0.5  
V
OUT  
CC  
I
− 20  
mA  
mA  
mA  
mA  
mW  
°C  
IK  
I
± 20  
± 25  
(Note 1)  
OK  
I
OUT  
4
OUT Y  
DC V /ground current  
CC  
I
± 50  
CC  
Power dissipation  
P
200  
D
Storage temperature  
Lead temperature (10s)  
T
stg  
− 65 to 150  
260  
T
°C  
L
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings and the operating ranges.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Note 1: VOUT < GND, VOUT > VCC  
Start of commercial production  
1994-06  
1
2014-03-01  
1234567

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