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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 250 ns | JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 37 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | -10 °C |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 编程电压： | 12 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.3 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TC5832DC | TOSHIBA |
获取价格 |
32 MBIT (4M x 8BIT) CMOS NAND E2PROM |
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| TC5832FT | TOSHIBA |
获取价格 |
32 MBIT (4M X 8 BITS) CMOS NAND E2PROM |
|
| TC58512FT | TOSHIBA |
获取价格 |
TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
|
| TC58512FTI | TOSHIBA |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| TC58512FTI(EL) | TOSHIBA |
获取价格 |
IC,EEPROM,NAND FLASH,64MX8,CMOS,TSSOP,48PIN,PLASTIC |
|
| TC58A | CDE |
获取价格 |
Axial Leaded Aluminum Electrolytic Capacitors |
|
| TC58A040 | TOSHIBA |
获取价格 |
4 MBIT (4M x 1BITS) CMOS AUDIO NAND E2PROM |
|
| TC58A040F | TOSHIBA |
获取价格 |
4 MBIT (4M x 1BITS) CMOS AUDIO NAND E2PROM |
|
| TC58C015A-10.000MHZ | PLETRONICS |
获取价格 |
Oscillator, 10MHz Min, 60MHz Max, 10MHz Nom |
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| TC58C015A-FREQ | PLETRONICS |
获取价格 |
Clipped Sine Output Oscillator, 1MHz Min, 60MHz Max, SURFACE MOUNT PACKAGE-4 |
|
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