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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOJ |
| 包装说明： | SOJ, SOJ32,.34 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.B |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.78 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 20 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-J32 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 20.96 mm |
| 内存密度： | 294912 bit | 内存集成电路类型： | CACHE SRAM |
| 内存宽度： | 9 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32KX9 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ |
| 封装等效代码： | SOJ32,.34 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 3.7 mm |
| 最大待机电流： | 0.001 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.14 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.7 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| TC55329J-17 | TOSHIBA |
功能相似  |
32,768 WORD x 9 BIT CMOS STATIC RAM |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TC55329J-25 | TOSHIBA |
获取价格 |
32,768 WORD x 9 BIT CMOS STATIC RAM |
|
| TC55329J-35 | TOSHIBA |
获取价格 |
32,768 WORD x 9 BIT CMOS STATIC RAM |
|
| TC55329P | TOSHIBA |
获取价格 |
32,768 WORD x 9 BIT CMOS STATIC RAM |
|
| TC55329P-17 | TOSHIBA |
获取价格 |
32,768 WORD x 9 BIT CMOS STATIC RAM |
|
| TC55329P-20 | TOSHIBA |
获取价格 |
32,768 WORD x 9 BIT CMOS STATIC RAM |
|
| TC55329P-25 | TOSHIBA |
获取价格 |
32,768 WORD x 9 BIT CMOS STATIC RAM |
|
| TC55329P-35 | TOSHIBA |
获取价格 |
32,768 WORD x 9 BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC553301ECB713 | MICROCHIP |
获取价格 |
1 レA Low Dropout Positive Voltage Regulator |
|
| TC553301ECBTR | MICROCHIP |
获取价格 |
1 レA Low Dropout Positive Voltage Regulator |
|
| TC553301EMB713 | MICROCHIP |
获取价格 |
1 レA Low Dropout Positive Voltage Regulator |
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