是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | SOP, SOP32,.56 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.88 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 100 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 20.6 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 512KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP32,.56 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.8 mm |
最大待机电流: | 0.000025 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.07 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 10.7 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TC554001AF-10V | TOSHIBA |
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暂无描述 | |
TC554001AF-70 | TOSHIBA |
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524,228 WORDS x 8 BIT STATIC RAM | |
TC554001AF-70L | TOSHIBA |
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524,228 WORDS x 8 BIT STATIC RAM | |
TC554001AF-70V | TOSHIBA |
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IC 512K X 8 STANDARD SRAM, 120 ns, PDSO32, 0.525 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOP-32, Sta | |
TC554001AF-85 | TOSHIBA |
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524,228 WORDS x 8 BIT STATIC RAM | |
TC554001AF-85L | TOSHIBA |
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524,228 WORDS x 8 BIT STATIC RAM | |
TC554001AF-85V | TOSHIBA |
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IC 512K X 8 STANDARD SRAM, 150 ns, PDSO32, 0.525 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOP-32, Sta | |
TC554001AFI | TOSHIBA |
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524,228 WORDS x 8 BIT STATIC RAM | |
TC554001AFI-10 | TOSHIBA |
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524,228 WORDS x 8 BIT STATIC RAM | |
TC554001AFI-10L | TOSHIBA |
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524,228 WORDS x 8 BIT STATIC RAM |