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TC551001BPL-10V

更新时间: 2024-12-01 14:23:43
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 270K
描述
IC 128K X 8 STANDARD SRAM, 150 ns, PDIP32, 0.600 INCH, 2.54 MM PITCH, PLASTIC, DIP-32, Static RAM

TC551001BPL-10V 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP, DIP32,.6
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.75Is Samacsys:N
最长访问时间:150 ns其他特性:USER SELECTABLE 5V VCC
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDIP-T32
JESD-609代码:e0长度:42 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP32,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:3/5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.8 mm最大待机电流:0.000015 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.07 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

TC551001BPL-10V 数据手册

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