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TC551001CFT-55L

更新时间: 2024-11-30 22:28:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
14页 544K
描述
131,072 WORD x 8 BIT STATIC RAM

TC551001CFT-55L 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP1
包装说明:8 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-32针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.13
Is Samacsys:N最长访问时间:55 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G32
长度:18.4 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装等效代码:TSSOP32,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.00001 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.08 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL宽度:8 mm
Base Number Matches:1

TC551001CFT-55L 数据手册

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