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TC551001CFI-85L(EL)

更新时间: 2024-12-01 13:14:27
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
14页 580K
描述
IC,SRAM,128KX8,CMOS,SOP,32PIN,PLASTIC

TC551001CFI-85L(EL) 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOP, SOP32,.56Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:85 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G32
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP32,.56
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.00002 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.07 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

TC551001CFI-85L(EL) 数据手册

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