Datasheet > TC514100APL-60

TC514100APL-60

更新时间： 2024-01-30 13:37:17

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	569K
描述
IC 4M X 1 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18, Dynamic RAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TC514100APL-60 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	18
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.89
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDIP-T18
JESD-609代码：	e0	长度：	22 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	1	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	18
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX1
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
座面最大高度：	4.4 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...21

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TC514100APL-70	TOSHIBA	获取价格	4,194,304 WORD x BIT DYNAMIC RAM
TC514100APL-80	TOSHIBA	获取价格	4,194,304 WORD x BIT DYNAMIC RAM
TC514100ASJ	TOSHIBA	获取价格	4,194,304 WORD x BIT DYNAMIC RAM
TC514100ASJ-60	TOSHIBA	获取价格	IC 4M X 1 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20, Dynamic RAM
TC514100ASJ-70	TOSHIBA	获取价格	IC 4M X 1 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20, Dynamic RAM
TC514100ASJ-80	TOSHIBA	获取价格	IC 4M X 1 FAST PAGE DRAM, 80 ns, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20, Dynamic RAM
TC514100ASJL-10	TOSHIBA	获取价格	4,194,304 WORD x BIT DYNAMIC RAM
TC514100ASJL-70	TOSHIBA	获取价格	4,194,304 WORD x BIT DYNAMIC RAM
TC514100ASJL-80	TOSHIBA	获取价格	4,194,304 WORD x BIT DYNAMIC RAM
TC514100ATRL-70	TOSHIBA	获取价格	IC 4M X 1 OTHER DRAM, 70 ns, PDSO20, 0.300 INCH, REVERSE, TSOP2-26/20, Dynamic RAM