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TC514101AJ-60

更新时间： 2024-02-06 11:58:56

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TC514101AJ-60 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ,	针数：	20
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	访问模式：	NIBBLE
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-J20	JESD-609代码：	e0
长度：	17.15 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	NIBBLE MODE DRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	20	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX1	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	座面最大高度：	3.75 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8.89 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TC514101AJ-80	TOSHIBA	获取价格	IC 4M X 1 NIBBLE MODE DRAM, 80 ns, PDSO20, 0.350 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20, Dynamic RAM
TC514101AP	TOSHIBA	获取价格	4,194,304 WORD x 1 BIT DYNAMIC RAM
TC514101AP-10	TOSHIBA	获取价格	IC 4M X 1 NIBBLE MODE DRAM, 100 ns, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18, Dynamic RAM
TC514101AP-60	TOSHIBA	获取价格	4,194,304 WORD x 1 BIT DYNAMIC RAM
TC514101AP-70	TOSHIBA	获取价格	IC 4M X 1 NIBBLE MODE DRAM, 70 ns, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18, Dynamic RAM
TC514101AP-80	TOSHIBA	获取价格	IC 4M X 1 NIBBLE MODE DRAM, 80 ns, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18, Dynamic RAM
TC514101ASJ-60	TOSHIBA	获取价格	4,194,304 WORD x 1 BIT DYNAMIC RAM
TC514101ASJ-70	TOSHIBA	获取价格	IC 4M X 1 NIBBLE MODE DRAM, 70 ns, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20, Dynamic RAM
TC514101AZ-60	TOSHIBA	获取价格	4,194,304 WORD x 1 BIT DYNAMIC RAM
TC514101AZ-80	TOSHIBA	获取价格	IC 4M X 1 NIBBLE MODE DRAM, 80 ns, PZIP20, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-20, Dynamic RAM