是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | ZIP |
包装说明: | ZIP, | 针数: | 20 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.92 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | STATIC COLUMN |
最长访问时间: | 60 ns | 其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
JESD-30 代码: | R-PZIP-T20 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 25.8 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | STATIC COLUMN DRAM | 内存宽度: | 1 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 20 | 字数: | 4194304 words |
字数代码: | 4000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 4MX1 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | ZIP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 1024 | 座面最大高度: | 10.16 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | ZIG-ZAG |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TC514102AZ-70 | TOSHIBA |
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IC 4M X 1 STATIC COLUMN DRAM, 70 ns, PZIP20, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-20, Dynamic RAM | |
TC514102J | TOSHIBA |
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4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM | |
TC514102J10 | TOSHIBA |
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4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM | |
TC514102J80 | TOSHIBA |
获取价格 |
4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM | |
TC514102J-80 | TOSHIBA |
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IC 4M X 1 STATIC COLUMN DRAM, 80 ns, PDSO20, 0.350 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20, Dynamic RAM | |
TC514102Z10 | TOSHIBA |
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4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM | |
TC514102Z80 | TOSHIBA |
获取价格 |
4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM | |
TC514102Z-80 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 1 STATIC COLUMN DRAM, 80 ns, PZIP20, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-20, Dynamic RAM | |
TC514170BFT-70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 256K X 16 OTHER DRAM, 70 ns, PDSO40, 0.400 INCH, TSOP2-44/40, Dynamic RAM | |
TC514170BJ-70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 256K X 16 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40, Dynamic RAM |