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TC514102AJ-70

更新时间: 2024-09-28 15:53:55
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 783K
描述
IC 4M X 1 STATIC COLUMN DRAM, 70 ns, PDSO20, 0.350 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20, Dynamic RAM

TC514102AJ-70 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ,针数:20
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.73
Is Samacsys:N访问模式:STATIC COLUMN
最长访问时间:70 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-J20JESD-609代码:e0
长度:17.15 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STATIC COLUMN DRAM内存宽度:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:20字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024座面最大高度:3.75 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:8.89 mm
Base Number Matches:1

TC514102AJ-70 数据手册

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