是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, | 针数: | 18 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.92 |
访问模式: | STATIC COLUMN | 最长访问时间: | 70 ns |
其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | JESD-30 代码: | R-PDIP-T18 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 22 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | STATIC COLUMN DRAM |
内存宽度: | 1 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 18 |
字数: | 4194304 words | 字数代码: | 4000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 4MX1 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 1024 |
座面最大高度: | 4.4 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TC514102AP-80 | TOSHIBA |
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IC 4M X 1 STATIC COLUMN DRAM, 80 ns, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18, Dynamic RAM | |
TC514102ASJ-10 | TOSHIBA |
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IC 4M X 1 STATIC COLUMN DRAM, 100 ns, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20, Dynamic RAM | |
TC514102ASJ-60 | TOSHIBA |
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4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM | |
TC514102ASJ-80 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 1 STATIC COLUMN DRAM, 80 ns, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20, Dynamic RAM | |
TC514102AZ-10 | TOSHIBA |
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IC 4M X 1 STATIC COLUMN DRAM, 100 ns, PZIP20, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-20, Dynamic RAM | |
TC514102AZ-60 | TOSHIBA |
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4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM | |
TC514102AZ-70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 1 STATIC COLUMN DRAM, 70 ns, PZIP20, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-20, Dynamic RAM | |
TC514102J | TOSHIBA |
获取价格 |
4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM | |
TC514102J10 | TOSHIBA |
获取价格 |
4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM | |
TC514102J80 | TOSHIBA |
获取价格 |
4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM |