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TC514100AZ-80

更新时间: 2024-02-06 23:02:27
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 541K
描述
IC 4M X 1 FAST PAGE DRAM, 80 ns, PZIP20, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-20, Dynamic RAM

TC514100AZ-80 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:ZIP
包装说明:ZIP,针数:20
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.85
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:80 ns
其他特性:RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-PZIP-T20
JESD-609代码:e0长度:25.8 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:20
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:ZIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
座面最大高度:10.16 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:1.27 mm
端子位置:ZIG-ZAG处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

TC514100AZ-80 数据手册

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