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TC1N914BXXXX

更新时间： 2024-10-27 06:15:43
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6页 507K
描述
500 mW DO-35 Hermetically Sealed Glass Fast Switching Diodes

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®
TAK CHEONG  
SEMICONDUCTOR  
500 mW DO-35 Hermetically  
Sealed Glass Fast Switching  
Diodes  
AXIAL LEAD  
DO35  
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Power Dissipation  
Value  
Units  
PD  
TSTG  
TJ  
WIV  
IO  
500  
-65 to +200  
+175  
75  
mW  
°C  
°C  
V
mA  
mA  
A
DEVICE MARKING DIAGRAM  
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
Working Inverse Voltage  
L
xx  
xx  
Average Rectified Current  
150  
L
: Logo  
TC1Nxxxx : Device Code  
IFM  
IFSURGE  
Non-repetitive Peak Forward Current  
Peak Forward Surge Current  
450  
2
These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.  
Specification Features:  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Fast Switching Device (TRR <4.0 nS)  
DO-35 Package (JEDEC)  
Through-Hole Device Type Mounting  
Hermetically Sealed Glass  
Compression Bonded Construction  
All external surfaces are corrosion resistant and leads are readily solderable  
Cathode indicated by polarity band  
Anode  
Cathode  
ELECTRICAL SYMBOL  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Limits  
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
IR=100µA  
Unit  
Min  
100  
75  
Max  
BV  
IR  
Breakdown Voltage  
Reverse Leakage Current  
Forward Voltage  
Volts  
IR=5µA  
VR=20V  
25  
5
nA  
µA  
VR=75V  
VF  
TC1N4448, TC1N914B  
TC1N4148, TC1N4148  
TC1N4448, TC1N914B  
IF=5mA  
0.62  
0.72  
1.0  
1.0  
IF=10mA  
IF=100mA  
IF=IR=10mA  
RL=100Ω  
Volts  
TRR  
Reverse Recovery Time  
Capacitance  
4
4
nS  
pF  
I
RR=1mA  
C
VR=0V, f=1MHZ  
March 2002 / A  
Page 1  
123456

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