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TBL170N06T-3DL8

更新时间： 2024-04-09 18:59:12

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银河微电 - BL Galaxy Electrical		/
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60V, N Channel MOSFETs

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TBL170N06T-3DL8 数据手册

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

TBL170N06T-3DL8

1.8

1.6

1.4

1.2

V_DS= 5V

V_GS= 10V; I_D= 10A

150℃

V_GS= 4.5V; I_D= 10A

25℃

0.8

0.6

-55℃

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150 175

T_J(℃)

V_GS(V)

Fig 7 Normalized On-Resistance vs. Junction

Temperature

Fig 8 Transfer Characteristics

1000

V_DS= 30V；I_D= 10A

900

800

700

600

500

400

300

200

100

Ciss

Coss

Crss

0.1

100

V_DS(V)

Qg(nC)

Fig 9 Capacitance Characteristics

Fig 10 Gate-Charge Characteristics

1.1

1.2

1.1

1.05

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

I_D= 250uA

0.95

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150 175

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150 175

T_J(℃)

Fig 11 Normalized Breakdown Voltage

vs. Junction Temperature

Fig 12 Normalized V_GS(th)vs. Junction Temperature

MTM0851A: September 2023 [2.2]

www.gmesemi.com

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