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T920N02TOF

更新时间： 2024-09-17 21:10:03

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英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
10页	241K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1990A I(T)RMS, 925000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element

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T920N02TOF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-XXDB-X3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.19
标称电路换相断开时间：	150 µs	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	1000 V/us	最大直流栅极触发电流：	200 mA
最大直流栅极触发电压：	2 V	最大维持电流：	200 mA
JESD-30 代码：	O-XXDB-X3	最大漏电流：	50 mA
通态非重复峰值电流：	13500 A	元件数量：	1
端子数量：	3	最大通态电流：	925000 A
最高工作温度：	140 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	1990 A
断态重复峰值电压：	200 V	重复峰值反向电压：	200 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

T920N02TOF 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T920N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

200 V

400 V

600 V

200 V

400 V

600 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

^Pere^ion^din^scd^ha^et^Ve^on^{rwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Vorwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

250 V

450 V

650 V

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

1500 A

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

925 A

T_C= 85 °C

1270 A

1990 A

Dauergrenzstrom

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms I_TAVM

average on-state current

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

I_TRMS

13500 A

12000 A

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

Stossstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

910 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

Kritische Stromsteilheit

critical rate of rise of on-state current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

720 10³ A²s

300 A/µs

DIN IEC 60747-6

f = 50 Hz, i_GM= 0,8 A,

di_G/dt = 0,8 A/µs

(di_T/dt)_cr

1000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

(dv_D/dt)_cr

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlassspannung

on-state voltage

max.

1,65 V

1,24 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 2500 A

T_vj= T_{vj max}, i_T= 800 A

v_T

1,00 V

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlasskennlinie

on-state characteristic

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,23 mΩ

200 A ≤ i_T≤ 4600 A

1,101E+00

-1,129E-05

-7,982E-02

2,404E-02

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

max.

200 mA

V_GT

I_GD

max.

2 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

10 mA

5 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

T_vj= 25°C, v_D= 12V

V_GD

I_H

max.

0,25 V

Haltestrom

holding current

max.

200 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

I_L

max. 1000 mA

i_GM= 0,8 A, di_G/dt = 0,8 A/µs,

t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

50 mA

1,4 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C, i_GM= 0,8 A,

di_G/dt = 0,8 A/µs

H.Sandmann

date of publication: 2009-12-08

prepared by:

revision:

3.1

approved by: M.Leifeld

IFBIP D AEC / 2009-12-08, H.Sandmann

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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