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T830N

更新时间： 2024-11-28 08:30:39

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英飞凌 - INFINEON		可控硅
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描述
Netz-Thyristor Phase Control Thyristor

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T830N 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T830N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

1200

1400

1600 V

1800 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

T_vj= -40°C... T_{vj ma}

V_DRM,V_RRM

^Pere^ion^din^scd^ha^et^Ve^on^{rwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

1200

1400

1600 V

1800 V

Vorwärts-Stossspitzensperrspannung

V_DSM

Elektrische

igenschaften

non-repetitive peak forward off-state voltage

1300

1500

1700 V

1900 V

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

1500 A

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

844 A

T_C= 85 °C

1220 A

1920 A

Dauergrenzstrom

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms I_TAVM

average on-state current

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

I_TRMS

14500 A

12500 A

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

Stossstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

1051 10³ A²s

781 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

120 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

1000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlassspannung

on-state voltage

max.

1,94 V

1,20 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 3000 A

T_vj= T_{vj max}, i_T= 750 A

v_T

0,85 V

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlasskennlinie

on-state characteristic

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,35 mΩ

200 A ≤ i_T≤ 4100 A

1,173E+00

1,489E-04

-9,456E-02

1,966E-02

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

max.

250 mA

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

V_GT

I_GD

max.

1,5 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

10 mA

5 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

Haltestrom

holding current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

V_GD

I_H

max.

0,2 V

T_vj= 25°C, v_D= 12V

max.

300 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

I_L

max. 1500 mA

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

80 mA

4 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

gate controlled delay time

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

H.Sandmann

date of publication: 2010-09-02

prepared by:

revision:

3.2

approved by: M.Leifeld

IFBIP D AEC / 2010-09-02, H.Sandmann

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T830N12TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1880A I(T)RMS, 826000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1
T830N14TOF	INFINEON	获取价格	T830N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 58mm，高度
T830N14TOFHOSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1880A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element
T830N14TOFXPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1880A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element,
T830N16TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1880A I(T)RMS, 826000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1
T830N18TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1880A I(T)RMS, 826000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1
T830N18TOFHOSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1880A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element
T830W	STMICROELECTRONICS	获取价格	SNUBBERLESS TRIAC
T830-XXXW	STMICROELECTRONICS	获取价格	SNUBBERLESS TRIAC
T-831	RHOMBUS-IND	获取价格	RHOMBUS INDUSTRIES INC.

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