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T658N

更新时间： 2024-11-16 06:09:07

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Silicon Controlled Rectifier,

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T658N 数据手册

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T 658 N 22...26

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

T_vj= - 40°C...T_{vj max}

T_vj= + 25°C...T_{vj max}

V_DRM, V_RRM

2200

2300

2400

2600

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

V_DSM

2400

2600

non-repetitive peak foward off-state voltage

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

V_RSM

2500

2700

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

RMSM on-state current

I_TRSMSM

I_TAVM

I_TSM

1500

Dauergrenzstrom

T_C= 85 °C

T_C= 56 °C

659

955

average on-state current

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25°C, t_p= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10 ms

13000

11500

A 1)

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25°C, t_p= 10ms

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10ms

I²t

845

660

A²s*10³

Kritische Stromsteilheit

DIN IEC 747-6

(di_T/dt)_cr

150

A/µs

critical rate of rise of on-state current

f=50 Hz, vL = 10V, i_GM= 1 A

di_G/dt = 1 A/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM(dv_D/dt)_cr

5.Kennbuchstabe/5th letter F

1000

V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

T_vj= T_{vj max}

i_T=

2850 A v_T

650 A v_T

max.

2,53

1,32

max.

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_T(TO)

mΩ

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

r_T

0,50

Durchlaßkennlinie

on-state voltage

T_vj= T_{vj max}

A = 1,2455E+00

B = 3,7164E-04

C = -1,0398E-01

D = 1,9701E-02

v_T= A + B i_T+ C Ln(i_T+ 1) + D i_T

Zündstrom

T_vj= 25°C, v_D= 6 V

T_vj= 25°C, v_D= 6V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

250

2,2

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündener Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6 V

max.

T_vj= T_{vj max},v_D= 0,5 V_DRM

Nicht zündene Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max},v_D= 0,5 V_DRM

max.

0,25

Haltestrom

T_vj=25°C, v_D= 6V, R_A=5Ω

300

holding current

Einraststrom

T_vj=25°C,v_D=6V,R_GK>=10 Ω I_L

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

1500

latching current

t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse currents

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

max.

100

µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

DIN IEC 747-6

T_vj= 25°C

t_gd

gate controlled delay time

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

1) Gehäusegrenzstrom 12kA (50Hz Sinushalbwelle). / Current limit of case 12kA (50Hz sinusoidal half-wave).

prepared by: K.-A.Rüther

approved by: J. Novotny

data of publication: 2001-03-19

revision: 1

BIP AM

A 04/01

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T658N22	EUPEC	获取价格	Netz-Thyristor Phase Control Thyristor
T658N22TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 659000mA I(T), 2200V V(DRM)
T658N23	EUPEC	获取价格	Netz-Thyristor Phase Control Thyristor
T658N24	EUPEC	获取价格	Netz-Thyristor Phase Control Thyristor
T658N24TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 2400V V(DRM), 2400V V(RRM), 1 Element
T658N25	EUPEC	获取价格	Netz-Thyristor Phase Control Thyristor
T658N26	EUPEC	获取价格	Netz-Thyristor Phase Control Thyristor
T658N26TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 659000mA I(T), 2600V V(DRM), 2600V V(RRM), 1
T659N22TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element,
T659N24TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 2400V V(DRM), 2400V V(RRM), 1 Element,

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