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T658N26TOF

更新时间： 2024-01-24 19:54:18
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅栅极
页数 文件大小 规格书
30页 717K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 659000mA I(T), 2600V V(DRM), 2600V V(RRM), 1 Element

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T658N26TOF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：DISK BUTTON, O-CXDB-X4Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.73
标称电路换相断开时间：300 µs配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：1000 V/us最大直流栅极触发电流：250 mA
最大直流栅极触发电压：2.2 V最大维持电流：300 mA
JESD-30 代码：O-CXDB-X4最大漏电流：100 mA
通态非重复峰值电流：13000 A元件数量：1
端子数量：4最大通态电流：659000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：1500 A
断态重复峰值电压：2600 V重复峰值反向电压：2600 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：YES
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

T658N26TOF 数据手册

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Technische Information / Technical Information  
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
N
T 658 N 22...26  
Elektrische Eigenschften / Electrical properties  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung  
repetitive peak forward off-state and reverse voltages  
Tvj = - 40°C...Tvj max  
Tvj = - 40°C...Tvj max  
Tvj = + 25°C...Tvj max  
VDRM , VRRM  
2200  
2200  
2300  
2400  
2600  
V
V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung  
VDSM  
2400  
2600  
V
V
non-repetitive peak foward off-state voltage  
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung  
non-repetitive peak reverse voltage  
VRSM  
2500  
2700  
V
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert  
RMSM on-state current  
ITRSMSM  
ITAVM  
ITSM  
1500  
A
Dauergrenzstrom  
TC = 85 °C  
TC = 56 °C  
659  
955  
A
A
average on-state current  
Stoßstrom-Grenzwert  
surge current  
Tvj = 25°C, tp = 10 ms  
Tvj = Tvj max, tp = 10 ms  
13000  
11500  
A 1)  
A
Grenzlastintegral  
I²t-value  
Tvj = 25°C, tp = 10ms  
Tvj = Tvj max, tp = 10ms  
I²t  
845  
660  
A²s*10³  
A²s*10³  
Kritische Stromsteilheit  
DIN IEC 747-6  
(diT/dt)cr  
150  
A/µs  
critical rate of rise of on-state current  
f=50 Hz, vL = 10V, iGM = 1 A  
diG/dt = 1 A/µs  
Kritische Spannungssteilheit  
critical rate of rise of off-state voltage  
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM (dvD/dt)cr  
5.Kennbuchstabe/5th letter F  
1000  
V/µs  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
Durchlaßspannung  
on-state voltage  
Tvj = Tvj max  
Tvj = Tvj max  
,
,
iT =  
iT =  
2850 A vT  
650 A vT  
max.  
2,53  
1,32  
V
V
max.  
Schleusenspannung  
threshold voltage  
Tvj = Tvj max  
VT(TO)  
1
V
mΩ  
Ersatzwiderstand  
slope resistance  
Tvj = Tvj max  
rT  
0,50  
Durchlaßkennlinie  
on-state voltage  
Tvj = Tvj max  
A = 1,2455E+00  
B = 3,7164E-04  
C = -1,0398E-01  
D = 1,9701E-02  
vT = A + B iT + C Ln(iT + 1) + D iT  
Zündstrom  
Tvj = 25°C, vD = 6 V  
Tvj = 25°C, vD = 6V  
IGT  
VGT  
IGD  
VGD  
IH  
max.  
max.  
250  
2,2  
mA  
V
gate trigger current  
Zündspannung  
gate trigger voltage  
Nicht zündener Steuerstrom  
gate non-trigger current  
Tvj = Tvj max, vD = 6 V  
max.  
max.  
10  
5
mA  
mA  
Tvj = Tvj max,vD = 0,5 VDRM  
Nicht zündene Steuerspannung  
gate non-trigger voltage  
Tvj = Tvj max,vD = 0,5 VDRM  
max.  
max.  
max.  
0,25  
V
Haltestrom  
Tvj=25°C, vD = 6V, RA =5Ω  
300  
mA  
mA  
holding current  
Einraststrom  
Tvj=25°C,vD=6V,RGK>=10 Ω IL  
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs  
1500  
latching current  
tg = 20 µs  
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom  
forward off-state and reverse currents  
Tvj = Tvj max  
iD, iR  
max.  
max.  
100  
4
mA  
µs  
vD = VDRM, vR = VRRM  
Zündverzug  
DIN IEC 747-6  
Tvj = 25°C  
tgd  
gate controlled delay time  
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs  
1) Gehäusegrenzstrom 12kA (50Hz Sinushalbwelle). / Current limit of case 12kA (50Hz sinusoidal half-wave).  
prepared by: K.-A.Rüther  
approved by: J. Novotny  
data of publication: 2001-03-19  
revision: 1  
BIP AM  
A 04/01  
Seite / page:  
1
1234567...30

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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