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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
可控硅 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 9页 | 127K |  |
| 描述 | ||
| Snubberless high temperature 30 A Triacs | ||
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | Factory Lead Time： | 11 weeks |
| 风险等级： | 1.55 | Samacsys Description： | STMicroelectronics, T3035H-6I, TRIAC, 600V 30A, Gate Trigger 1V 35mA, 3-Pin TO-220AB Isolated |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 1000 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 35 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 1 V | 最大维持电流： | 60 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 最大漏电流： | 8.5 mA |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 30 A |
| 断态重复峰值电压： | 600 V | 子类别： | TRIACs |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 触发设备类型： | SNUBBERLESS TRIAC |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| T3035H-6T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Snubberless high temperature 30 A Triacs |
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| T3035H-6Z | JJM |
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高结温双向可控硅 |
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| T3035H-8A | JJM |
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高结温双向可控硅 |
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| T3035H-8C | JJM |
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高结温双向可控硅 |
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| T3035H-8E | JJM |
获取价格 |
高结温双向可控硅 |
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| T3035H-8F | JJM |
获取价格 |
高结温双向可控硅 |
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| T3035H-8G | STMICROELECTRONICS |
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30 A - 800 V - 150 °C D2PAK封装H系列三端双向可控硅 |
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| T3035H-8I | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
30 A - 800 V - 150 °C TO-220AB隔离封装H系列三端双向可控硅 |
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| T3035H-8T | STMICROELECTRONICS |
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30 A - 800 V - 150 °C TO-220AB隔离封装H系列三端双向可控硅 |
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| T3035H-8Z | JJM |
获取价格 |
高结温双向可控硅 |
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