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T2651N12TOC

更新时间： 2024-11-25 05:22:03

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英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
7页	268K
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Silicon Controlled Rectifier, 6350A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element,

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T2651N12TOC 数据手册

Technische Information / Technical Information

Netz Thyristor

T 2651 N 12...18 TOF

Phase Control Thyristor

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

t_vj= -40°C ... t_{vj max}

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

repetitive peak forward off-state and reverse voltage

V_DRM, V_RRM

1800

1600

1400

1200

f = 50Hz

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

RMS forward current

I_TRMSM

I_TAVM

I_TSM

6350

t_C= 85°C, f = 50Hz

t_C= 60°C, f = 50Hz

Dauergrenzstrom

mean forward current

2900

4040

t_vj= 25°C, t_p= 10ms, V_R= 0

t_vj= t_{vj max}, t_p= 10ms, V_R= 0

Stoßstrom-Grenzwert

surge forward current

60 kA

54 kA

I²t

18·10⁶A²s

t_vj= 25°C, t_p= 10ms

t_vj= t_{vj max}, t_p= 10ms

Grenzlastintegral

I²t-value

A²s

14·10⁶

DIN IEC 747-6

Kritische Stromsteilheit

critical rate of rise of on-state current

(di/dt)_cr

150 A/µs

f = 50Hz, v_D= 0,67× V_DRM

i_GM= 2A, di_G/dt = 4A/µs

t_vj= t_{vj max}, v_D= 0,67× V_DRM

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state current

(dv/dt)_cr

5. Kennbuchstabe / 5^thletter C

5. Kennbuchstabe / 5^thletter F

500 V/µs

1000 V/µs

1) Gehäusegrenzstrom / case non rupture current 53kA

Charakteristische Werte / Characteristic values

typ.

max.

1,09

Durchlaßspannung

on-state voltage

t_vj= t_{vj max}, i_T= 2kA

v_T

1,04

typ.

max

t_vj= t_{vj max}

Schleusenspannung / threshold voltage

Ersatzwiderstand / slope resistance

V_(TO)

r_T

0,858

0,0887

0,895

0,0952

typ.

max.

t_vj= t_{vj max}

Durchlaßrechenkennlinien

On-state characteristics for calculation

-0,842

0,000103 0,0000646

0,286

-0,0113

-0,114

500A £ i_T£ 5000A

0,149

-0,00117

V = A +B× i + C× ln i +1 +D× i

(

)

t_vj= 25°C, v_D= 6V

Zündstrom

gate trigger current

I_GT

max.

300 mA

Zünsspannung

V_GT

2,5 V

gate trigger voltage

t_vj= t_{vj max}, v_D= 6V

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

I_GD

20 mA

10 mA

t_vj= t_{vj max}, v_D= 0,5× V_DRM

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

V_GD

0,4 V

SZ-M / 21 July 1998, Dorn

Seite/page 1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T2651N12TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2900000mA I(T), 1200V V(DRM)
T2651N14TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2900000mA I(T), 1400V V(DRM)
T2651N16TOC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 6350A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element,
T2651N16TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2900000mA I(T), 1600V V(DRM)
T2651N18TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2900000mA I(T), 1800V V(DRM)
T26-77.500K-12.5-P30	MERCURY	获取价格	Quartz Crystal
T26FAZ-RSM-1-TF	JST	获取价格	连接器可采用正向或反向配置。也可采用Z字形表面安装尾端的顶装型连接器。
T26FAZ-RSM-TF	JST	获取价格	连接器可采用正向或反向配置。也可采用Z字形表面安装尾端的顶装型连接器。
T26FAZ-SM-1-TB	JST	获取价格	连接器可采用正向或反向配置。也可采用Z字形表面安装尾端的顶装型连接器。
T26FAZ-SM-TB	JST	获取价格	连接器可采用正向或反向配置。也可采用Z字形表面安装尾端的顶装型连接器。

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