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T2651N12TOC

更新时间： 2024-01-08 21:58:39

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英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
7页	268K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 6350A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element,

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技术参数
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T2651N12TOC 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	300 mA	JESD-30 代码：	O-CEDB-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	6350 A	断态重复峰值电压：	1200 V
重复峰值反向电压：	1200 V	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	END
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

T2651N12TOC 数据手册

Technische Information / Technical Information

Netz Thyristor

T 2651 N 12...18 TOF

Phase Control Thyristor

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Kühlfläche / cooling surface

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

R_thJC

beidseitig / two-sided, Q = 180°sin

max.

0,0087 °C/W

0,0080 °C/W

beidseitig / two sided, DC

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

max.

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

R_thCK

t_{vj max}

t_{c op}

0,0025 °C/W

125 °C

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

max. junction temperature

Betriebstemperatur

operating temperature

-40...+125 °C

-40...+150 °C

Lagertemperatur

t_stg

storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see appendix

Seite 4

Si-Element mit Druckkontakt, Lichtzündung

Si-pellet with pressure contact, ligt triggered

Silizium Tablette

silicon wafer

75TN18

Anpreßkraft

36...52 kN

clampig force

typ.

Gewicht

weight

1700 g

Kriechstrecke

creepage distance

33 mm

DIN 40040

f = 50Hz

Feuchteklasse

humidity classification

Schwingfestigkeit

50 m/s²

vibration resistance

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

SZ-M / 21 July 1998, Dorn

Seite/page 3

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与T2651N12TOC相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
T2651N12TOF	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 2900000mA I(T), 1200V V(DRM)	获取价格
T2651N14TOF	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 2900000mA I(T), 1400V V(DRM)	获取价格
T2651N16TOC	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 6350A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element,	获取价格
T2651N16TOF	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 2900000mA I(T), 1600V V(DRM)	获取价格
T2651N18TOF	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 2900000mA I(T), 1800V V(DRM)	获取价格
T26-77.500K-12.5-P30	MERCURY	Quartz Crystal	获取价格