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T2651N12TOC

更新时间： 2024-01-10 12:23:33

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英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
7页	268K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 6350A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element,

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T2651N12TOC 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	300 mA	JESD-30 代码：	O-CEDB-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	6350 A	断态重复峰值电压：	1200 V
重复峰值反向电压：	1200 V	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	END
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

Technische Information / Technical Information

Netz Thyristor

T 2651 N 12...18 TOF

Phase Control Thyristor

Sperrverzögerungsladung

reverse recovery charge

Q_rr= f ( - di/dt )

Richtwert für obere Streubereichsgrenze

Nebenbedingungen:

t_vj= 125° C, I_FM= 2000A, v_R= 0,5× V_RRM

C_s= 2,2µF, R = 15W

1 0

d i/dt [A /µs]

SZ-M / 21 July 1998, Dorn

Seite/page 7

1...4 5 67

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
T2651N12TOF	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 2900000mA I(T), 1200V V(DRM)	获取价格
T2651N14TOF	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 2900000mA I(T), 1400V V(DRM)	获取价格
T2651N16TOC	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 6350A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element,	获取价格
T2651N16TOF	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 2900000mA I(T), 1600V V(DRM)	获取价格
T2651N18TOF	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 2900000mA I(T), 1800V V(DRM)	获取价格
T26-77.500K-12.5-P30	MERCURY	Quartz Crystal	获取价格