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T2316405A-70

更新时间： 2022-11-26 03:13:27
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TMT /
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14页 137K
描述
4M x 4 DYNAMIC RAM EDO PAGE MODE

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T2316405A-70 数据手册

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T2316405A  
Preliminary T2316407A  
TE  
tm
CH  
(note 1,2,3) (Ta = 0 to 70 C)  
°
AC CHARACTERISTICS  
TEST CONDITIONS:  
T2316405A-10 Vcc = 2.6V 0.2V , T2316407A-50/60/70 Vcc =3.3V 0.3V  
±
±
VIH/V =2.0/0.8V,VOH/VOL=2.0/0.8V  
IL  
Input rise and fall times: 2ns , Output Load: 2TTL gate + C (100pF)  
L
AC CHARACTERISTICS  
PARAMETER  
-50  
-60  
-70  
-10  
UNIT Notes  
SYM  
Min Max Min Max Min Max Min Max  
Read or Write Cycle Time  
Read Write Cycle Time  
EDO-Page-Mode Read or Write Cycle Time  
EDO-Page-Mode Read-Write Cycle Time  
t
t
t
t
t
84  
108  
20  
104  
135  
25  
124  
160  
30  
180  
240  
40  
ns  
ns  
ns  
ns  
RC  
RWC  
PC  
PCM  
RAC  
56  
68  
78  
120  
4
50  
13  
13  
25  
30  
60  
15  
15  
30  
35  
70  
20  
20  
35  
40  
100 ns  
25 ns  
25 ns  
RAS  
CAS  
OE  
Access Time From  
Access Time From  
Access Time From  
t
t
5
CAC  
OAC  
13  
Access Time From Column Address  
Access Time From CAS Precharge  
t
t
t
50 ns 8  
55 ns  
AA  
ACP  
50 10K 60 10K 70 10K 100 10K ns  
RAS  
RAS  
Pulse Width  
RAS  
t
100  
K
100  
K
100  
K
100  
K
Pulse Width (EDO Page Mode)  
RASC  
50  
60  
70  
100  
ns  
t
t
t
t
t
t
8
10  
40  
13  
50  
25  
70  
ns  
ns  
RAS  
RAS  
Hold Time  
RSH  
RP  
30  
8
Precharge Time  
10K 10 10K 13 10K 25 10K ns  
CAS Pulse Width  
CAS  
CAS  
CSH  
CP  
38  
10  
40  
10  
45  
10  
100  
10  
ns  
ns  
Hold Time  
CAS Precharge Time (EDO Page Mode)  
7
8
12 37 14 45 14 50 25 75 ns  
RAS  
CAS  
CAS  
RAS  
to  
to  
Delay Time  
RCD  
t
t
t
t
t
t
t
5
0
8
5
0
10  
5
0
10  
5
0
15  
ns  
ns  
ns  
Precharge Time  
CRP  
ASR  
RAH  
RAD  
ASC  
CAH  
AR  
Row Address Setup Time  
Row Address Hold Time  
10 25 12 30 12 35 20 50 ns  
RAS  
to Column Address Delay Time  
Column Address Setup Time  
Column Address Hold Time  
Column Address Hold Time (Reference to  
RAS  
0
8
0
10  
0
13  
0
20  
ns  
ns  
21  
24  
27  
45  
ns  
)
t
25  
0
30  
0
35  
0
50  
0
ns  
RAS  
Column Address to  
Lead Time  
RAL  
Read Command Setup Time  
Read Command Hold Time Reference to  
t
t
ns 14  
RCS  
RCH  
9,14  
0
0
0
0
ns  
CAS  
Read Command Hold Time Reference to  
RAS  
t
9
RRH  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
ns  
ns  
t
t
CAS  
CLZ  
to Output in Low-Z  
10,16  
CAS  
OFF1  
Output Buffer Turn-off Delay From  
or  
12  
15  
20  
25 ns  
RAS  
Taiwan Memory Technology, Inc. reserves the right P. 5  
to change products or specifications without notice.  
Publication Date: APR. 2001  
Revision:0.B  
12345678...14

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