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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| T1N5407 | SIPOWER |
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General Rectifier Diodes |
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| T1N5407F | SIPOWER |
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General Rectifier Diodes |
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| T1N5408 | SIPOWER |
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General Rectifier Diodes |
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| T1N5408F | SIPOWER |
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General Rectifier Diodes |
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| T1P0A5200GXGL1 | TOSHIBA |
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UNINTERRUPTIBLE POWER SYSTEM (UPS) |
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| T1P0A5200GXGR3L1 | TOSHIBA |
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UNINTERRUPTIBLE POWER SYSTEM (UPS) |
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| T1P0A6000GXG | TOSHIBA |
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UNINTERRUPTIBLE POWER SYSTEM (UPS) |
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| T1P0A6000GXGR3 | TOSHIBA |
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UNINTERRUPTIBLE POWER SYSTEM (UPS) |
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| T1P2701012-SP | TRIQUINT |
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10 W, 12V, 500 MHz-3GHz, PowerbandTM pHEMT RF Power Transistor |
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| T1P3002028-SP | TRIQUINT |
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20 W, 28V, 500 MHz-2GHz, Pulsed, PowerbandTM pHEMT RF Power Transistor |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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