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T1P3005028-SP

更新时间： 2024-01-12 19:45:31

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TRIQUINT		晶体晶体管射频脉冲放大器
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50 W, 28V, 500 MHz-2GHz, Pulsed, PowerbandTM pHEMT RF Power Transistor

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T1P3005028-SP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLATPACK, R-CDFP-F2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	FET 技术：	HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFP-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

T1P3005028-SP 数据手册

T1P3005028-SP

50 W, 28V, 500 MHz—2GHz, Pulsed, Powerband^TMpHEMT RF Power Transistor

— Narrow Band up to 2GHz

Introducꢀon

— 12dB gain

The T1P3005028-SP is a POWERBAND^TMdiscrete pHEMT,

depleꢀon mode, RF Power transistor designed to operate from

500MHz to 2GHz in wide-band circuits. The device has an in-

stantaneous band-width P1dB output power of 50waꢁs across

the enꢀre band when operated in the TriQuint wide-band test

ﬁxture. The T1P3005028-SP can also be used in narrow band ap-

plicaꢀons and is rated at 65Waꢁs P1dB at 2GHz.

— 54% eﬃciency

— 65Waꢁ P1dB

Table 1. Maximum Raꢀngs

Sym

Parameter

Value

28 V

Notes

Posiꢀve Supply Voltage

Negaꢀve Supply Voltage Range

Posiꢀve Supply Current

Gate Supply Current

–5V to 0V

5.6A

Figure 1. Available Packages

| l

70 mA

Power Dissipaꢀon

See note 3 2/ 3/

150^oC

Operaꢀng Channel Temperature

1/ These raꢀngs represent the maximum operable values for this

device.

2/ Combinaꢀons of supply voltage, supply current, input power,

and output power shall not exceed P .

3/ For a median life ꢀme of 1E+6 hrs, Power dissipaꢀon is limited

to: P (max) = (150 °C – TBASE °C) / 3.5 (°C/W)

4/ Juncꢀon operaꢀng temperature will directly aﬀect the device

median ꢀme to failure(T ). For maximum life, it is recom-

mended that juncꢀon temperatures be maintained at the lowest

possible levels.

Table 2. Thermal Informaꢀon

Parameter

Test Condiꢀons TCH

(°C) (°C/W) (HRS)

145 3.5 1.6E+6

θJC

Thermal Resis- Vd = 10 V

Features

tance (channel to

Idq = 900 mA

backside of carrier) Pdiss = 9 W

— Pulse Characterizaꢀon

— Excepꢀonal Instantaneous band-width performance from

500MHz – 2GHz

— Increased eﬃciency results in signiﬁcant advantages

— Smaller and lighter systems

— Reduced system component costs

— Reduced energy consumpꢀon

— Typical Performance raꢀngs

— Wide-Band 500MHz-2GHz

(as tested in TriQuint Wideband Fixture)

— 10dB gain

Preliminary Data Sheet

Subject to Change

— 45% Eﬃciency

— 50Waꢁ P1dB

www.triquint.com/powerband

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