Datasheet > T1869N16TOF

T1869N16TOF

更新时间： 2024-11-07 19:10:07

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
10页	266K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 4100A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

T1869N16TOF 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.75
标称电路换相断开时间：	300 µs	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	1000 V/us	最大直流栅极触发电流：	300 mA
最大直流栅极触发电压：	2.5 V	最大维持电流：	300 mA
JESD-30 代码：	O-CXDB-X4	最大漏电流：	250 mA
通态非重复峰值电流：	40000 A	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	4100 A
断态重复峰值电压：	1600 V	重复峰值反向电压：	1600 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

T1869N16TOF 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1869N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

1600

1800

2000 V

2200 V

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

enndaten

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

1600

1800

2000 V

2200 V

Vorwärts-Stossspitzensperrspannung

T_vj= -40°C... T_{vj max}

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_DSM

non-repetitive peak forward off-state voltage

1700

1900

2100 V

2300 V

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

V_RSM

4100 A

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

1869 A

2611 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 85 °C

T_C= 60 °C

40000 A 1)

35000 A

Stossstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

8000 10³ A²s

6125 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

200 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

1000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlassspannung

on-state voltage

max.

2,20 V

1,26 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 8 kA

T_vj= T_{vj max}, i_T= 2 kA

v_T

0,90 V

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,155 mΩ

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlasskennlinie

on-state characteristic

500 A ≤ i_T≤ 9000 A

5,416E-01

1,535E-04

6,292E-02

-1,530E-03

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

300 mA

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

max.

2,5 V

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

10 mA

5 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

T_vj= 25°C, v_D= 12V

max.

0,25 V

Haltestrom

holding current

max.

300 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

I_L

max. 1500 mA

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

250 mA

4 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

gate controlled delay time

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

1) Gehäusegrenzstrom I_RSM(case)= 36kA (50Hz Sinus-Halbwelle) / Peak case non rupture current I_RSM(case)= 36kA (50Hz sinusoidal half wave)

prepared by: H.Sandmann

approved by: J.Przybilla

date of publication: 2006-11-29

revision:

BIP PPE4 / 2006-11-29, H.Sandmann

A 04/06

Seite/page

1/10

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与T1869N16TOF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T1869N20TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4100A I(T)RMS, 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 1 Element
T1869N22TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4100A I(T)RMS, 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element
T18-6F	AMPHENOL	获取价格	Fork Terminal
T186LF	AMPHENOL	获取价格	Fork Terminal
T18-6MX	FOTEK	获取价格	M18 Ultra short tubular type Photo sensor
T18-6MX-M12	FOTEK	获取价格	M18 Ultra short tubular type Photo sensor
T18-6MX-PG	FOTEK	获取价格	M18 Ultra short tubular type Photo sensor
T18820KT10	VISHAY	获取价格	RESISTOR, TRIMMER, CERMET, 15 TURN(S), 0.5 W, 82 ohm, 3/4 INCH, RECTANGULAR, 3 PINS, ROHS
T18821KT10	VISHAY	获取价格	RESISTOR, TRIMMER, CERMET, 15 TURN(S), 0.5 W, 820 ohm, 3/4 INCH, RECTANGULAR, 3 PINS, ROHS
T18823KT10	VISHAY	获取价格	RESISTOR, TRIMMER, CERMET, 15 TURN(S), 0.5 W, 82000 ohm, 3/4 INCH, RECTANGULAR, 3 PINS, RO

与T1869N16TOF相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

16
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

14
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

37
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

35

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

T1869N16TOF

T1869N16TOF 技术参数

T1869N16TOF 数据手册

与T1869N16TOF相关器件

与T1869N16TOF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

T1869N16TOF

T1869N16TOF 技术参数

T1869N16TOF 数据手册

与T1869N16TOF相关器件

与T1869N16TOF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？