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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | TFBGA, BGA48,6X8,30 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.8 |
| 最长访问时间： | 70 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 | 长度： | 8 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 64KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TFBGA |
| 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 2.4/3.6 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大待机电流： | 0.00001 A |
| 最小待机电流： | 1.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.025 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.4 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.75 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 6 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| T15N1M16A-70J | TMT |
获取价格 |
64K X 16 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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| T15N1M16A-70JI | TMT |
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64K X 16 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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| T15N1M16A-70S | TMT |
获取价格 |
64K X 16 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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| T15N1M16A-70SI | TMT |
获取价格 |
64K X 16 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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| T15N2 | EDAL |
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T10A1 |
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| T15N3 | EDAL |
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T10A1 |
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| T15P5NR-F | CDE |
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High Voltage Paper-Film/Foil Capacitors |
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| T15V256A | TMT |
获取价格 |
32K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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| T15V256A_03 | TMT |
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32K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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| T15V256A-70D | TMT |
获取价格 |
32K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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