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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | TFBGA, BGA48,6X8,30 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.8 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 70 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 |
| 长度： | 8 mm | 内存密度： | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 128KX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA | 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 3/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大待机电流： | 0.000015 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.035 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.75 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 宽度： | 6 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| T15V4M08A | TMT |
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512K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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| T15V4M08A-55C | TMT |
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512K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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| T15V4M08A-70P | TMT |
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512K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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| T15V4M16A | TMT |
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256K X 16 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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| T15V4M16A-100C | TMT |
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256K X 16 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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| T15V4M16A-55S | TMT |
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256K X 16 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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| T15V4M16A-70C | TMT |
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256K X 16 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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| T15V8M16A | ETC |
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512K X 16 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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| T15V8M16A-100C | ETC |
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512K X 16 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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| T15V8M16A-55S | ETC |
获取价格 |
512K X 16 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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