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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | TSOP1, TSSOP32,.56,20 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.88 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 100 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 11.8 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 128KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1 | 封装等效代码： | TSSOP32,.56,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 2.4/3.6 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.1 mm |
| 最大待机电流： | 0.00001 A | 最小待机电流： | 1.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.025 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.4 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| T15N1024A-55D | TMT |
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128K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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| T15N1024A-55DI | TMT |
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128K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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| T15N1024A-70H | TMT |
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128K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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| T15N1024A-70HI | TMT |
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128K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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| T15N1M16A | TMT |
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64K X 16 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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| T15N1M16A-70C | TMT |
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64K X 16 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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| T15N1M16A-70CI | TMT |
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64K X 16 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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| T15N1M16A-70J | TMT |
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64K X 16 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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| T15N1M16A-70JI | TMT |
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64K X 16 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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| T15N1M16A-70S | TMT |
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64K X 16 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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