生命周期: | Contact Manufacturer | 包装说明: | DIP, DIP28,.6 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.8 |
最长访问时间: | 70 ns | 其他特性: | SEATED HGT NOMINAL |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 |
长度: | 36.83 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.33 mm |
最大待机电流: | 0.00001 A | 最小待机电流: | 1.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
T15M256B-70NI | TMT |
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32K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM | |
T15M256B-85P | TMT |
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32K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM | |
T15M256B-85PI | TMT |
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32K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM | |
T15M256B-85R | TMT |
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32K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM | |
T15M256B-85RI | TMT |
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32K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM | |
T15M3 | EDAL |
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T10A1 | |
T15M64A | TMT |
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8K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM | |
T15M64A-100D | TMT |
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8K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM | |
T15M64A-100J | TMT |
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8K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM | |
T15M64A-100N | TMT |
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8K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |