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T1190N12TOF VT

更新时间： 2024-11-29 11:10:15

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T1190N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 75mm，高度 26mm。

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T1190N12TOF VT 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1190N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

1200

1400

1600 V

1800 V

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

V_DRM,V_RRM

1200

1400

1600 V

1800 V

Vorwärts-Stossspitzensperrspannung

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

_none_-ren_pn_ed_tita_ivt_ee_pn_{eak forward off-state voltage}

Elektrische Eigenschaften

1300

1500

1700 V

1900 V

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

2800 A

1190 A

1760 A

2770 A

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 85 °C

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms I_TAVM

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

I_TRMS

25500 A

22500 A

T_vj= 25 °C °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

Stossstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

3250 10³ A²s

2530 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

200 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

1000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlassspannung

on-state voltage

max.

2,05 V

1,06 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 5,4 kA

T_vj= T_{vj max}, i_T= 1,0 kA

v_T

0,90 V

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,190 mΩ

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlasskennlinie

on-state characteristic

300 A ≤ i_T≤ 6000 A

7,528E-01

1,682E-04

-1,035E-02

6,509E-03

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

250 mA

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

max.

2 V

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

20 mA

10 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

T_vj= 25°C, v_D= 12V

max.

0,2 V

Haltestrom

holding current

max.

500 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

I_L

max. 2500 mA

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

150 mA

4 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

gate controlled delay time

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

H.Sandmann

date of publication: 2008-09-18

prepared by:

revision:

2.0

approved by: M.Leifeld

A 52/08

Seite/page

1/10

IFBIP D AEC, 2008-09-18, H.Sandmann

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T1190N12TOF(VT)	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier,
T1190N12TOFVTXPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2770A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element,
T1190N14TOF VT	INFINEON	获取价格	T1190N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 75mm，高度
T1190N14TOFVTXPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2770A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element,
T1190N16TOF VT	INFINEON	获取价格	T1190N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 75mm，高度
T1190N18TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2770A I(T)RMS, 1190000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1
T1190N18TOF VT	INFINEON	获取价格	T1190N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 75mm，高度
T1190N18TOF(VT)	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier,
T1190N18TOFVTHOSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
T1190N18TOFVTXPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2770A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element,

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