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T1190N18TOFVTHOSA1

更新时间： 2024-11-28 15:53:23

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Silicon Controlled Rectifier

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T1190N18TOFVTHOSA1 技术参数

生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

T1190N18TOFVTHOSA1 数据手册

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1190N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

1200

1400

1600 V

1800 V

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

V_DRM,V_RRM

1200

1400

1600 V

1800 V

Vorwärts-Stossspitzensperrspannung

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

_none_-ren_pn_ed_tita_ivt_ee_pn_{eak forward off-state voltage}

Elektrische Eigenschaften

1300

1500

1700 V

1900 V

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

2800 A

1190 A

1760 A

2770 A

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 85 °C

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms I_TAVM

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

I_TRMS

25500 A

22500 A

T_vj= 25 °C °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

Stossstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

3250 10³ A²s

2530 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

200 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

1000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlassspannung

on-state voltage

max.

2,05 V

1,06 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 5,4 kA

T_vj= T_{vj max}, i_T= 1,0 kA

v_T

0,90 V

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,190 mΩ

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlasskennlinie

on-state characteristic

300 A ≤ i_T≤ 6000 A

7,528E-01

1,682E-04

-1,035E-02

6,509E-03

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

250 mA

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

max.

2 V

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

20 mA

10 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

T_vj= 25°C, v_D= 12V

max.

0,2 V

Haltestrom

holding current

max.

500 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

I_L

max. 2500 mA

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

150 mA

4 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

gate controlled delay time

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

H.Sandmann

date of publication: 2008-09-18

prepared by:

revision:

2.0

approved by: M.Leifeld

A 52/08

Seite/page

1/10

IFBIP D AEC, 2008-09-18, H.Sandmann

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T1190N18TOFVTXPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2770A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element,
T1190NL	PULSE	获取价格	TELECOMMUNICATIONS PRODUCTS
T-1193	RHOMBUS-IND	获取价格	HDSL TRANSFORMER
T-1194	RHOMBUS-IND	获取价格	600 Audio Transformer
T-1195	RHOMBUS-IND	获取价格	DDS Aplications Pulse Transformers
T-1196	RHOMBUS-IND	获取价格	Impedance Matching Audio Transformer
T-1198	RHOMBUS-IND	获取价格	Flyback Transformer
T11B-SQ	JST	获取价格	具有0.64mm方形接线柱的2.54sb头可用于将任何2.54mm插座连接到PC板。它们也
T1-1H	MINI	获取价格	RF Transformer, 8MHz Min, 300MHz Max, 1:1
T1-1H+	MINI	获取价格	RF Transformer, 8MHz Min, 300MHz Max, 1:1, ROHS COMPLIANT

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