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T0250NA52E

更新时间: 2024-02-24 02:50:03
品牌 Logo 应用领域
IXYS 晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 385K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 340A I(C), 5200V V(BR)CES, N-Channel, NA, 4 PIN

T0250NA52E 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-CXDB-X4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):340 A集电极-发射极最大电压:5200 V
配置:SINGLEJESD-30 代码:O-CXDB-X4
元件数量:1端子数量:4
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UNSPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):4800 ns
标称接通时间 (ton):3300 nsBase Number Matches:1

T0250NA52E 数据手册

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WESTCODE An IXYS Company  
Insulated Gate Bi-polar Transistor Type T0250NA52E  
Figure 13 – Transient thermal impedance  
1
T0250TA52E  
AD issue 2  
Emitter  
0.1  
0.01  
Collector  
Double side  
0.001  
0.0001  
0.00001  
0.00001  
0.0001  
0.001  
0.01  
Time (s)  
0.1  
1
10  
100  
Provisional Data Sheet T0250NA52E Issue 2  
Page 6 of 7  
June, 2003  

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