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T0250NA52E

更新时间： 2024-01-29 07:17:47

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IXYS		栅晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	385K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 340A I(C), 5200V V(BR)CES, N-Channel, NA, 4 PIN

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T0250NA52E 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	340 A	集电极-发射极最大电压：	5200 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	4800 ns
标称接通时间 (ton)：	3300 ns	Base Number Matches：	1

T0250NA52E 数据手册

WESTCODE ^AnIXYS Company

Insulated Gate Bi-polar Transistor Type T0250NA52E

Curves

Figure 1 – Typical collector-emitter saturation

voltage characteristics

Figure 2 – Typical output characteristic

400

1000

T0250TA52E

AD issue 2

T0250TA52E

AD issue 2

T_j= 25°C

V_GE=+15V

300

T_j=25°C

T_j=125°C

V_GE= 20V

_GE= 17V

200

100

V_GE= 15V

V_GE= 12V

_GE= 10V

Collector to emitter saturation voltage - V_CE(sat)(V)

Collector to emitter saturation voltage -V_CE(SAT)(V)

Figure 3 – Typical output characteristic

Figure 4 – Typical turn-on gate charge

400

T0250TA52E

AD issue 2

T0250TA52E

AD issue 2

V_CE=2600V

T_j= 125°C

I_C=250A

V_GE=±15V

T_j=125°C

V_GE= 20V

_GE= 17V

V_GE= 15V

V_GE= 12V

V_GE= 10V

300

200

100

I_C=150A

Collector to emitter saturation voltage -V_CE(SAT)

(V)

Gate resistance - R_G(on)(Ω)

Provisional Data Sheet T0250NA52E Issue 2

Page 3 of 7

June, 2003

1 234 5 6 7

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