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T0250NA52E

更新时间： 2024-01-01 10:54:26

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IXYS		栅晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	385K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 340A I(C), 5200V V(BR)CES, N-Channel, NA, 4 PIN

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T0250NA52E 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	340 A	集电极-发射极最大电压：	5200 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	4800 ns
标称接通时间 (ton)：	3300 ns	Base Number Matches：	1

T0250NA52E 数据手册

WESTCODE ^AnIXYS Company

Insulated Gate Bi-polar Transistor Type T0250NA52E

Characteristics

IGBT Characteristics

UNITS

PARAMETER

MIN TYP MAX TEST CONDITIONS

3.5

4.0

3.9

4.5

1.9

8.7

I_C= 250A, V_GE= 15V, T_j= 25°C

I_C= 250A, V_GE= 15V

V_CE(sat)Collector – emitter saturation voltage

V_T0

r_T

Threshold voltage

Slope resistance

Current range: 50 – 400A

Ω

V_GE(TH

)

Gate threshold voltage

4.8

5.1

V_CE= V_GE, I_C= 200mA

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

I_CES

I_GES

C_ies

t_d(on)

t_r(I)

Collector – emitter cut-off current

Gate leakage current

Input capacitance

Turn-on delay time

Rise time

µA

µs

µC

±200 V_GE= ±20V

2.7

0.6

V_CE= 25V, V_GE= 0V, f = 1MHz

I_C=250A, V_CE= 0.5V_CES

Q_g(on)

E_on

Turn-on gate charge

Turn-on energy

V_GE= ±20V,

0.64

2.7

2.1

Ω,

R_g(ON)= 23

t_d(off)

t_f

Turn-off delay time

Fall time

µs

µC

Ω,

R_g(OFF)=11

C_g=25nF (external capacitor across gate)

Q_g(off)

E_off

Turn-off gate charge

Turn-off energy

0.53

Thermal Characteristics

UNITS

PARAMETER

MIN TYP MAX TEST CONDITIONS

135

Double side cooled

Collector side cooled

Emitter side cooled

K/kW

R_thJK

Thermal resistance junction to sink, IGBT

Mounting force

Weight

W_t

0.5

Notes:-

1) Unless otherwise indicated T_j=125°C.

Provisional Data Sheet T0250NA52E Issue 2

Page 2 of 7

June, 2003

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