Datasheet > T0250NA52E

T0250NA52E

更新时间： 2024-01-07 12:26:14

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	385K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 340A I(C), 5200V V(BR)CES, N-Channel, NA, 4 PIN

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

T0250NA52E 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	340 A	集电极-发射极最大电压：	5200 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	4800 ns
标称接通时间 (ton)：	3300 ns	Base Number Matches：	1

T0250NA52E 数据手册

WESTCODE ^AnIXYS Company

Insulated Gate Bi-polar Transistor Type T0250NA52E

Figure 6 – Typical turn-on delay time vs gate

resistance

Figure 5 – Typical turn-off gate charge

TT00225500TTAA5522EE

AADDisisssuuee22

T0250TA52E

AD issue 2

V_CE=2600V

V_GE=±15V

T_j=125°C

I_C=250A

V_CE=2600V

V_GE=±15V

T_j=125°C

I_C=150A

I_C=250A

I_C=150A

Gate resistance - R_G(off)(Ω)

Gate resistance - R_G(on)(Ω)

Figure 7 – Typical turn-off delay time vs. gate Figure 8 – Typical turn-on energy vs. collector

resistance

current

700

T0250TA52E

AD issue 2

I_C=250A

I_C=150A

AD issue 2

V_CE=2600V

V_GE=±15V

T_j=125°C

V_CE=2600V

R_G(on)=23Ω

V_GE=±15V

T_j=125°C

600

500

400

300

200

100

V_CE=2000V

V_CE=1000V

100

150

200

250

300

Gate resistance - R_G(off)(Ω)

Collector current - I_C(A)

Provisional Data Sheet T0250NA52E Issue 2

Page 4 of 7

June, 2003

1 2 345 6 7

下载PDF

与T0250NA52E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
T0258HF65G	LITTELFUSE	作为压装IGBT技术的开创者，我们能够提供多种一流的器件，额定电压分别为1.7kV（900	获取价格
T0-2-8293/EZ	ETC	CAM SWITCH ON-OFF	获取价格
T0285NC33E	LITTELFUSE	作为压装IGBT技术的开创者，我们能够提供多种一流的器件，额定电压分别为1.7kV（900	获取价格
T02KO	CPI	250 W Outdoor TWT Power Amplifier	获取价格
T02MO	CPI	200W Outdoor TWT Amplifier	获取价格
T02UO-2G	CPI	200W Outdoor TWT Amplifier	获取价格