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T0250NA52E

更新时间： 2024-01-17 00:53:03

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IXYS		栅晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	385K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 340A I(C), 5200V V(BR)CES, N-Channel, NA, 4 PIN

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技术参数
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T0250NA52E 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	340 A	集电极-发射极最大电压：	5200 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	4800 ns
标称接通时间 (ton)：	3300 ns	Base Number Matches：	1

T0250NA52E 数据手册

WESTCODE ^AnIXYS Company

Insulated Gate Bi-polar Transistor Type T0250NA52E

Figure 10 – Typical turn-off energy vs. collector

current

Figure 9 – Typical turn-on energy vs. di/dt

600

900

T0250TA52E

AD issue 2

T0250TA52E

AD issue 2

V_CE=2600V

R_G(off)=11Ω

_GE=±15V

T_j=125°C

V_CE=2600V

800

700

600

500

400

300

200

100

V_GE=±15V

500

400

300

200

100

T_j=125°C

I_C=250A

V_CE=2000V

V_CE=1000V

I_C=150A

100

200

300

600

800

1000

1200

1400

Collector current - I_C(A)

Commutation rate - di/dt (A/µs)

Figure 11 – Turn-off energy vs voltage

Figure 12 – Safe operating area

600

300

T0250TA52E

AD issue 2

T0250TA52E

AD issue 2

Ω

I_C=250A

R_G(off)=11

_GE=±15V

T_j=125°C

V_GE=±15V

T_j=125°C

500

400

300

200

100

250

200

150

100

I_C=150A

I_C=80A

1000

2000

3000

1000

2000

3000

4000

5000

6000

Collector-emitter voltage - V_CE(V)

Gollector-emitter voltage - V_CE(V)

Provisional Data Sheet T0250NA52E Issue 2

Page 5 of 7

June, 2003

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