是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PDSO-G6 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.83 | 最大击穿电压: | 5.88 V |
最小击穿电压: | 5.32 V | 配置: | COMMON ANODE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值反向功率耗散: | 150 W |
元件数量: | 4 | 端子数量: | 6 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 0.225 W | 参考标准: | AEC-Q101 |
最大重复峰值反向电压: | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | AVALANCHE | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SZMMQA6V2T1 | ONSEMI |
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DIODE TVS DIODE, Transient Suppressor | |
SZMMQA6V2T1G | ONSEMI |
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ESD / 浪涌保护器 | |
SZMMQA6V2T3 | ONSEMI |
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DIODE TVS DIODE, Transient Suppressor | |
SZMMQA6V8T1 | ONSEMI |
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DIODE TVS DIODE, Transient Suppressor | |
SZMMQA6V8T1 | ROCHESTER |
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TVS DIODE | |
SZMMQA6V8T1G | ONSEMI |
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ESD / Surge Protector | |
SZMMSZ10ET1G | ONSEMI |
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DIODE VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Diode | |
SZMMSZ10T1G | ONSEMI |
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500 mW; 5% Zener Diode Voltage Regulator | |
SZMMSZ10T3G | ONSEMI |
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500 mW; 5% Zener Diode Voltage Regulator | |
SZMMSZ11ET1G | ONSEMI |
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DIODE VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Diode |