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Datasheet > 二极管 > 齐纳二极管> SZBZX84C8V2LT3G
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SZBZX84C8V2LT3G

更新时间： 2024-11-09 11:01:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 测试二极管齐纳二极管
页数 文件大小 规格书
8页 84K
描述
250 mW; Zener Diode Voltage Regulator

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SZBZX84C8V2LT3G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
Factory Lead Time：4 weeks风险等级：1.51
配置：SINGLE二极管类型：ZENER DIODE
最大动态阻抗：15 ΩJESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
最高工作温度：150 °C最大功率耗散：0.3 W
标称参考电压：8.2 V子类别：Voltage Reference Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
最大电压容差：5%工作测试电流：5 mA
Base Number Matches：1

SZBZX84C8V2LT3G 数据手册

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BZX84B4V7LT1,  
BZX84C2V4LT1 Series  
Zener Voltage Regulators  
225 mW SOT−23 Surface Mount  
This series of Zener diodes is offered in the convenient, surface  
mount plastic SOT−23 package. These devices are designed to provide  
voltage regulation with minimum space requirement. They are well  
suited for applications such as cellular phones, hand held portables,  
and high density PC boards.  
http://onsemi.com  
3
1
Cathode  
Anode  
Features  
• Pb−Free Packages are Available  
• 225 mW Rating on FR−4 or FR−5 Board  
• Zener Breakdown Voltage Range − 2.4 V to 75 V  
• Package Designed for Optimal Automated Board Assembly  
• Small Package Size for High Density Applications  
• ESD Rating of Class 3 (>16 KV) per Human Body Model  
• Tight Tolerance Series Available (See Page 4)  
3
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 8  
1
2
MARKING DIAGRAM  
Mechanical Characteristics  
CASE: Void-free, transfer-molded, thermosetting plastic case  
FINISH: Corrosion resistant finish, easily Solderable  
MAXIMUM CASE TEMPERATURE FOR SOLDERING PURPOSES:  
260°C for 10 Seconds  
xxxM  
POLARITY: Cathode indicated by polarity band  
FLAMMABILITY RATING: UL 94 V−0  
xxx = Specific Device Code  
M
=Month Code  
ORDERING INFORMATION  
MAXIMUM RATINGS  
†
Rating  
Symbol  
Max  
Unit  
Device*  
Package  
Shipping  
Total Power Dissipation on FR−5 Board,  
P
BZX84CxxxLT1  
SOT−23  
3000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
D
(Note 1) @ T = 25°C  
225  
1.8  
556  
mW  
mW/°C  
°C/W  
A
BZX84CxxxLT1G SOT−23  
(Pb−Free)  
Derated above 25°C  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
BZX84CxxxLT3  
BZX84BxxxLT1  
SOT−23 10,000/Tape & Reel  
Total Power Dissipation on Alumina  
P
D
SOT−23  
3000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
Substrate, (Note 2) @ T = 25°C  
300  
2.4  
417  
mW  
mW/°C  
°C/W  
A
Derated above 25°C  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
BZX84BxxxLT1G SOT−23  
(Pb−Free)  
R
q
JA  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
−65 to  
+150  
°C  
BZX84BxxxLT3  
SOT−23 10,000/Tape & Reel  
J
stg  
*The “T1” suffix refers to an 8 mm, 7 inch reel.  
The “T3” suffix refers to an 8 mm, 13 inch reel.  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
1. FR−5 = 1.0 X 0.75 X 0.62 in.  
2. Alumina = 0.4 X 0.3 X 0.024 in., 99.5% alumina.  
DEVICE MARKING INFORMATION  
See specific marking information in the device marking  
column of the Electrical Characteristics table on page 3 of  
this data sheet.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
December, 2004 − Rev. 8  
BZX84C2V4LT1/D  
 
12345678

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SZBZX84C8V2LT3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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